Samsung представила новую оперативную память: DDR5 на 512 ГБ одной планкой
Разговоры про новую оперативную память ходят уже достаточно давно, а сегодня, 25 марта, компания Samsung Electronics официально анонсировала планку DDR5-памяти, которая уже сейчас готова поразить рынок своими характеристиками. Начать стоит с того, что объём одного модуля памяти может достигать 512 ГБ — для этого производитель использует на печатной плате по двадцать 8-слойных чипов памяти по 16 ГБ с каждой стороны. Собственно, аналогичный метод компания использует с 2014 года для производства серверных модулей оперативной памяти DDR4, но в случае с текущим поколением памяти максимальный объём составляет 256 ГБ.
Кроме того, новая память обладает безумной производительностью — сотрудники Samsung в пресс-релизе заявил о скорости передачи данных в 7200 Мбит/сек, что вдвое больше, чем у DDR4. Кроме того, благодаря техпроцессу High-K Metal Gate, который также используется при производстве GDDR6, планки DDR5 оказались на 13% более энергоэффективными. Всё это позволит памяти нового поколения удовлетворить запросы современного рынка, но, естественно, речь идёт не про потребительский сегмент, а про корпоративный. Данную память создали для использования в центрах вычислений, дата-центрах, облачных сервисах, платформах по управлению умными домами, суперкомпьютерах и промышленности.
Именно по этой причине производитель не раскрывает все технические особенности новой памяти, да и цену модулей, естественно, тоже никто не сообщает. С другой стороны, обычным пользователям переживать не стоит — инженеры Intel уже работают с Samsung, чтобы реализовать поддержку DDR5 в процессорах Intel Xeon поколения Saphire Rapids, а у AMD аналогичная поддержка будет реализована в процессорах EPYC. И если верить информации аналитиков, на потребительский рынок DDR5 выйдет в конце 2021 года или уже в начале 2022-го, тогда как полноценного доминирования памяти нового поколения стоит ожидать к 2025-му году.
