Samsung вложит в новый завод по выпуску 3-нм чипов гораздо больше, чем ожидалось
В январе стало известно, что Samsung собирается инвестировать порядка 10 миллиардов долларов в строительство нового завода в США, где будет выпускаться полупроводниковая продукция по 3-нанометровым нормам. А теперь авторы портала SamMobile заявили, что в конечном счёте расходы Samsung на новую фабрику будут гораздо больше озвученной ранее суммы.
В распоряжении журналистов оказалась документация Samsung, где указано, что примерная стоимость строительства нового завода по производству чипов составит более 17 миллиардов долларов. Предприятие площадью 650 квадратных километров будет расположено в городе Остин, штат Техас, неподалёку от действующего завода Samsung S2, и обеспечит 1800 новых рабочих мест. Его строительство планируется начать в 2022 году, а ввод в эксплуатацию намечен на четвёртый квартал 2023 года. И хотя Samsung не уточняет, какой технологический процесс будет использоваться на новом заводе, нет сомнений в том, что это будет передовой 3-нанометровый техпроцесс.
Отметим, что на заводе Samsung S2 в Техасе сейчас выпускаются чипы по устаревшим 14- и 11-нанометровым нормам. А современные технологии, подразумевающие 7- и 5-нанометровый техпроцесс, используются только на заводах компании в Южной Корее. А ведь у Samsung немало клиентов из США, включая IBM, Nvidia, Qualcomm и Tesla, и благодаря запуску нового предприятия в Штатах компания сможет выполнять больше заказов и укрепить свои позиции на рынке полупроводников, особенно в свете конкуренции с тайваньским чипмейкером TSMC, который тоже строит новую современную фабрику в Аризоне.
