Четверг 28 мая 03:24   Ясно + 3°

Без отставания от США: в Китае создали фоточувствительный материал для 7-нм техпроцесса

23.05.2020 16:45

Без отставания от США: в Китае создали фоточувствительный материал для 7-нм техпроцесса

Большинство интернет-пользователей, которые интересуются новостями в сфере IT, знают про фотолитографию, как способ изготовления микросхем. Однако мало кто говорит о важности фоторезиста — фоточувствительного материала, который используется в производстве полупроводниковой продукции. Его разрабатывают несколько стран, но, как оказалось, этот рынок также монополизирован японскими и американскими компаниями, причем ТОП-5 крупнейших игроков составляют 85% мирового рынка.
В Китае тоже есть свой фоторезист, но он используется только в технологических процессах на лазерах с длинами волны 436 нм (уровень G) и 365 нм (уровень I). В настоящее время основной фоторезист ArF, используемый в Китае для 193-нм лазеров, всё ещё импортируется, а разработку соответствующего материала для EUV-технологии в стране ещё не освоили — создание такого фоторезиста по-прежнему контролируется японскими компаниями.
Без отставания от США: в Китае создали фоточувствительный материал для 7-нм техпроцесса
Сразу несколько китайских компаний на текущий момент работают над фоторезистом, который может использоваться в производстве с технологическими нормами от 28 до 7 нм. Одна из них — Nata Opto из провинции Цзянсу, компания уже отправила партию тестовых образцов фоточувствительного материала своим партнёрам и обещает к 2023 году приступить к серийному производству в объёме 25 тонн в год. По некоторым данным, Nata Opto работает над фоторезистом с 2017 года и даже получила финансовую поддержку от правительства в рамках «Специального проекта 02» (02 Special Project).

Источник

2020 © "СЕЛЕНИУМ". Все права защищены. Карта сайта |